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codice articolo del costruttore | RW0S6BB1R00FET |
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Numero di parte futuro | FT-RW0S6BB1R00FET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RW |
RW0S6BB1R00FET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.6W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Current Sense |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | 2010 (5025 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2010 |
Dimensione / Dimensione | 0.202" L x 0.100" W (5.14mm x 2.54mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.140" (3.55mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW0S6BB1R00FET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RW0S6BB1R00FET-FT |
HVF1206T1007JE
Ohmite
HVF1206T1008JE
Ohmite
HVF1206T2004FE
Ohmite
HVF1206T2503FE
Ohmite
HVF1206T5002FE
Ohmite
HVF1206T5003FE
Ohmite
HVF1206T5004FE
Ohmite
HVF1206T7502FE
Ohmite
HVF1206T7504FE
Ohmite
HVC2512T5004JET
Ohmite
LCMXO2-4000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
M2GL060T-1FGG676
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31I7N
Intel