casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RUT5025JR820CS
codice articolo del costruttore | RUT5025JR820CS |
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Numero di parte futuro | FT-RUT5025JR820CS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RUT |
RUT5025JR820CS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 820 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.667W, 2/3W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Current Sense, Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 2010 (5025 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2010 |
Dimensione / Dimensione | 0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.026" (0.66mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RUT5025JR820CS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RUT5025JR820CS-FT |
RUK1608FR015CS
Samsung Electro-Mechanics
RUK1608JR010CS
Samsung Electro-Mechanics
RU3216FR051CS
Samsung Electro-Mechanics
RU3216FR010CS
Samsung Electro-Mechanics
RU3216FR020CS
Samsung Electro-Mechanics
RU2012FR020CS
Samsung Electro-Mechanics
RU2012FR010CS
Samsung Electro-Mechanics
RU2012FR047CS
Samsung Electro-Mechanics
RU2012FR068CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1608FR100CS
Samsung Electro-Mechanics
XCV300E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30-3BG256C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7
Intel
EP3CLS100F780I7N
Intel