casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RUT2012JR160CS
codice articolo del costruttore | RUT2012JR160CS |
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Numero di parte futuro | FT-RUT2012JR160CS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RUT |
RUT2012JR160CS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 160 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Current Sense, Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.024" (0.61mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RUT2012JR160CS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RUT2012JR160CS-FT |
RC2012J363CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012J364CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012J365CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012J390CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012J392CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012J393CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012J394CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012J395CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012J3R0CS
Samsung Electro-Mechanics
RC2012J3R3CS
Samsung Electro-Mechanics
XA3S100E-4TQG144Q
Xilinx Inc.
LFEC6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFC672-2
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
M1AGL600V2-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP1S30F1020C7N
Intel