casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RUR020N02TL
codice articolo del costruttore | RUR020N02TL |
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Numero di parte futuro | FT-RUR020N02TL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RUR020N02TL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 540mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT3 |
Pacchetto / caso | SC-96 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RUR020N02TL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RUR020N02TL-FT |
US5U1TR
Rohm Semiconductor
US5U2TR
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10CL010ZU256I8G
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