casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RU 2CV1
codice articolo del costruttore | RU 2CV1 |
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Numero di parte futuro | FT-RU 2CV1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RU 2CV1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 800mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 400ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU 2CV1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RU 2CV1-FT |
FMXK-1086S
Sanken
FMY-1036S
Sanken
SJPA-L3VR
Sanken
SJPX-H6VR
Sanken
SJPB-L6VL
Sanken
SJPB-D6VR
Sanken
SJPB-H4VR
Sanken
SJPL-D2VL
Sanken
SJPL-F4VR
Sanken
SJPL-L4VR
Sanken
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel