casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RU2012JR043CS
codice articolo del costruttore | RU2012JR043CS |
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Numero di parte futuro | FT-RU2012JR043CS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RU |
RU2012JR043CS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 43 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.333W, 1/3W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Current Sense, Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.026" (0.66mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU2012JR043CS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RU2012JR043CS-FT |
RU1005JR027CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR030CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR033CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR036CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR039CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR043CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR047CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR051CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR056CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR062CS
Samsung Electro-Mechanics
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC2V3000-6FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-CQ208B
Microsemi Corporation
AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
AX250-1FG484
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE360H29C2
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
LFXP6E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation