casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RU2012JR039CS
codice articolo del costruttore | RU2012JR039CS |
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Numero di parte futuro | FT-RU2012JR039CS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RU |
RU2012JR039CS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 39 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.333W, 1/3W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Current Sense, Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.026" (0.66mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU2012JR039CS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RU2012JR039CS-FT |
RU1005FR100CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR027CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR030CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR033CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR036CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR039CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR043CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR047CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR051CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR056CS
Samsung Electro-Mechanics
EP1C3T144C6N
Intel
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XC3S200A-4VQG100I
Xilinx Inc.
APA750-FG676I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
5SGXMA5N2F40C2N
Intel
XC7VX330T-1FF1761I
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1GZ
Intel
5SGXEA3H2F35C1N
Intel