casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RU2012JR022CS
codice articolo del costruttore | RU2012JR022CS |
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Numero di parte futuro | FT-RU2012JR022CS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RU |
RU2012JR022CS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 22 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.333W, 1/3W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Current Sense, Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±600ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.026" (0.66mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU2012JR022CS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RU2012JR022CS-FT |
RU1005FR051CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005FR056CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005FR062CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005FR075CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005FR082CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005FR091CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005FR100CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR027CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR030CS
Samsung Electro-Mechanics
RU1005JR033CS
Samsung Electro-Mechanics
A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A14V15A-VQG100C
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
EP4SGX360KF40C4N
Intel
XC2VP40-5FF1148I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation