casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RU1005JR068CS
codice articolo del costruttore | RU1005JR068CS |
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Numero di parte futuro | FT-RU1005JR068CS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RU |
RU1005JR068CS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 68 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.125W, 1/8W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Current Sense, Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0402 |
Dimensione / Dimensione | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.016" (0.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU1005JR068CS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RU1005JR068CS-FT |
RCS3216J3R3CS
Samsung Electro-Mechanics
RCS3216J3R6CS
Samsung Electro-Mechanics
RCS3216J3R9CS
Samsung Electro-Mechanics
RCS3216J430CS
Samsung Electro-Mechanics
RCS3216J431CS
Samsung Electro-Mechanics
RCS3216J432CS
Samsung Electro-Mechanics
RCS3216J433CS
Samsung Electro-Mechanics
RCS3216J434CS
Samsung Electro-Mechanics
RCS3216J435CS
Samsung Electro-Mechanics
RCS3216J470CS
Samsung Electro-Mechanics
XCV300E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30-3BG256C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7
Intel
EP3CLS100F780I7N
Intel