casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RTO050F1R000JTE1
codice articolo del costruttore | RTO050F1R000JTE1 |
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Numero di parte futuro | FT-RTO050F1R000JTE1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RTO 50 |
RTO050F1R000JTE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 50W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Dimensione / Dimensione | 0.398" L x 0.177" W (10.10mm x 4.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.591" (15.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RTO050F1R000JTE1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RTO050F1R000JTE1-FT |
LTO100FR0150JTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR1000JTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR0220JTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR1000FTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR0470JTE3
Vishay Sfernice
LTO050F10R00JTE3
Vishay Sfernice
LTO050F10000JTE3
Vishay Sfernice
LTO050F100R0JTE3
Vishay Sfernice
RTO050F10R00JTE1
Vishay Sfernice
RTO050F3R900JTE1
Vishay Sfernice
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA7N3F40C3N
Intel
EP3SL340F1760C4L
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FFG896C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP4SGX180DF29I4N
Intel