casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RTO050F10000JTE1
codice articolo del costruttore | RTO050F10000JTE1 |
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Numero di parte futuro | FT-RTO050F10000JTE1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RTO 50 |
RTO050F10000JTE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 kOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 50W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Dimensione / Dimensione | 0.398" L x 0.177" W (10.10mm x 4.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.591" (15.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RTO050F10000JTE1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RTO050F10000JTE1-FT |
LTO100F10001JTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR0500JTE3
Vishay Sfernice
LTO100F4R700JTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR0150JTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR1000JTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR0220JTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR1000FTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR0470JTE3
Vishay Sfernice
LTO050F10R00JTE3
Vishay Sfernice
LTO050F10000JTE3
Vishay Sfernice
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel