casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RTO050F10000JTE1
codice articolo del costruttore | RTO050F10000JTE1 |
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Numero di parte futuro | FT-RTO050F10000JTE1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RTO 50 |
RTO050F10000JTE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 kOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 50W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Dimensione / Dimensione | 0.398" L x 0.177" W (10.10mm x 4.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.591" (15.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RTO050F10000JTE1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RTO050F10000JTE1-FT |
LTO100F10001JTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR0500JTE3
Vishay Sfernice
LTO100F4R700JTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR0150JTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR1000JTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR0220JTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR1000FTE3
Vishay Sfernice
LTO100FR0470JTE3
Vishay Sfernice
LTO050F10R00JTE3
Vishay Sfernice
LTO050F10000JTE3
Vishay Sfernice
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
EP2AGX45DF25C4N
Intel
10AX048K2F35E2LG
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC5VLX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP1K30QC208-2
Intel