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Rohm Semiconductor RT1E040RPTR
- Numero parte MFG
- RT1E040RPTR
- quantità disponibile
- 27100 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.112992
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Rohm Semiconductor
- Breve descrizione
- - MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- RT1E040RPTR.pdf
RT1E040RPTR specificazioni
| codice articolo del costruttore | RT1E040RPTR |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-RT1E040RPTR |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| RT1E040RPTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 550mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSST |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RT1E040RPTR Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | RT1E040RPTR-FT |
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