casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RT1210DRD072K1L
codice articolo del costruttore | RT1210DRD072K1L |
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Numero di parte futuro | FT-RT1210DRD072K1L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RT |
RT1210DRD072K1L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 2.1 kOhms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Thin Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1210 |
Dimensione / Dimensione | 0.122" L x 0.102" W (3.10mm x 2.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.026" (0.65mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RT1210DRD072K1L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RT1210DRD072K1L-FT |
RT1210DRD071K2L
Yageo
RT1210DRD071K33L
Yageo
RT1210DRD071K37L
Yageo
RT1210DRD071K3L
Yageo
RT1210DRD071K43L
Yageo
RT1210DRD071K47L
Yageo
RT1210DRD071K4L
Yageo
RT1210DRD071K54L
Yageo
RT1210DRD071K58L
Yageo
RT1210DRD071K5L
Yageo
XC3S400-5FGG320C
Xilinx Inc.
A3P125-VQ100I
Microsemi Corporation
A3P250-VQG100T
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-1
Intel
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
LFXP2-30E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-CB121
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30F780C7
Intel