casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RSFGLHM2G
codice articolo del costruttore | RSFGLHM2G |
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Numero di parte futuro | FT-RSFGLHM2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RSFGLHM2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSFGLHM2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSFGLHM2G-FT |
RS1GL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1GL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1GL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1GL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1GL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1GLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1GLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1GLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1GLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1GLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel