casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RSF12JT1R10
codice articolo del costruttore | RSF12JT1R10 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RSF12JT1R10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RSF |
RSF12JT1R10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1.1 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.126" Dia x 0.354" L (3.20mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSF12JT1R10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSF12JT1R10-FT |
RSF2JA1K50
Stackpole Electronics Inc
PCF14JT1K50
Stackpole Electronics Inc
PRNF14FTD1K54
Stackpole Electronics Inc
RNF14FTD1R54
Stackpole Electronics Inc
RNF14FTC1R54
Stackpole Electronics Inc
RNF14BTE1K53
Stackpole Electronics Inc
RSF12JT1R50
Stackpole Electronics Inc
RSF1JB1R50
Stackpole Electronics Inc
RSF1JT1R50
Stackpole Electronics Inc
RSF2JT1R50
Stackpole Electronics Inc
XC6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C3N
Intel
10M16SCE144A7G
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F35E3SG
Intel
EP2A70F1020C7
Intel