casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RSF12JBR510
codice articolo del costruttore | RSF12JBR510 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RSF12JBR510 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RSF |
RSF12JBR510 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 510 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.126" Dia x 0.354" L (3.20mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSF12JBR510 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSF12JBR510-FT |
RSMF3JT6R80
Stackpole Electronics Inc
RSMF5JT6R80
Stackpole Electronics Inc
PCF14JT6R80
Stackpole Electronics Inc
RNF14FTD6R80
Stackpole Electronics Inc
RNF12FAC6R80
Stackpole Electronics Inc
RNF14FAD6M49
Stackpole Electronics Inc
RNF14FTD6M49
Stackpole Electronics Inc
RNF14FTD6M34
Stackpole Electronics Inc
RSMF12JT6K20
Stackpole Electronics Inc
RSMF1JT6K20
Stackpole Electronics Inc
XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
A1020B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484I7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EP3C40F780C8N
Intel
EP2S130F780C4N
Intel
EP20K60EQC208-3N
Intel