casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / RSB6.8GT2R
codice articolo del costruttore | RSB6.8GT2R |
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Numero di parte futuro | FT-RSB6.8GT2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSB6.8GT2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 3.5V |
Voltage - Breakdown (Min) | 5.78V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | 10W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | VMD2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSB6.8GT2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSB6.8GT2R-FT |
RCLAMP2402B.TCT
Semtech Corporation
RCLAMP0582B.TCT
Semtech Corporation
RCLAMP1502B.TCT
Semtech Corporation
RCLAMP2594N.TCT
Semtech Corporation
RCLAMP0522P.TCT
Semtech Corporation
RCLAMP0542T.TCT
Semtech Corporation
RCLAMP0522T.TCT
Semtech Corporation
RCLAMP7524T.TNT
Semtech Corporation
RCLAMP3344T.TNT
Semtech Corporation
RCLAMP7522T.TNT
Semtech Corporation
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel