casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS3JHE3_A/I
codice articolo del costruttore | RS3JHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-RS3JHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS3JHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3JHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS3JHE3_A/I-FT |
MURS320-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3G-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H9-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS32-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3J-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS3D-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSC8L45-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5D-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
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5SGXEA9K2H40C2N
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XC6VLX130T-1FFG784I
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XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
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