casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS3B-M3/9AT
codice articolo del costruttore | RS3B-M3/9AT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RS3B-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS3B-M3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 44pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3B-M3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS3B-M3/9AT-FT |
VS-60HFU-600
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSD3913
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSD3913R
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC54-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC53L-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3M-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel