casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS3A-M3/9AT
codice articolo del costruttore | RS3A-M3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-RS3A-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS3A-M3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 44pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3A-M3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS3A-M3/9AT-FT |
IRD3910
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3910R
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3911
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3912
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30HFUR-200
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60HFU-600
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSD3913
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSD3913R
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS34-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel