casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS2MAHR3G
codice articolo del costruttore | RS2MAHR3G |
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Numero di parte futuro | FT-RS2MAHR3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS2MAHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2MAHR3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS2MAHR3G-FT |
SS16L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16L RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS210L R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS210L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS210LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel