casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1JL RVG
codice articolo del costruttore | RS1JL RVG |
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Numero di parte futuro | FT-RS1JL RVG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1JL RVG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 800mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 800mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1JL RVG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1JL RVG-FT |
SS1H15LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS34LW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1DLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1GLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1GLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H20LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1KLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H4LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel