casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1JHE3_A/I
codice articolo del costruttore | RS1JHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-RS1JHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS1JHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1JHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1JHE3_A/I-FT |
B130-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B140-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B140-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B140-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B150-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B150-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B150-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B150-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B160-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B160-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation