casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1DL RVG
codice articolo del costruttore | RS1DL RVG |
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Numero di parte futuro | FT-RS1DL RVG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1DL RVG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 800mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 800mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1DL RVG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1DL RVG-FT |
ES15GLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES15GLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES15JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1KLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1DLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1KLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel