casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1DLHR3G
codice articolo del costruttore | RS1DLHR3G |
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Numero di parte futuro | FT-RS1DLHR3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS1DLHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 800mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 800mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1DLHR3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1DLHR3G-FT |
SS29LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29LHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel