casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1AL MHG
codice articolo del costruttore | RS1AL MHG |
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Numero di parte futuro | FT-RS1AL MHG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1AL MHG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 800mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 800mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1AL MHG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1AL MHG-FT |
ES1FLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1GLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel