casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RS1ALHR3G
codice articolo del costruttore | RS1ALHR3G |
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Numero di parte futuro | FT-RS1ALHR3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS1ALHR3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 800mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 800mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1ALHR3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1ALHR3G-FT |
SS29L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29LHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29LHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel