casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RR0510P-4640-D
codice articolo del costruttore | RR0510P-4640-D |
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Numero di parte futuro | FT-RR0510P-4640-D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR |
RR0510P-4640-D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 464 Ohms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.063W, 1/16W |
Composizione | Thin Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.016" (0.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR0510P-4640-D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR0510P-4640-D-FT |
RR0510P-2100-D
Susumu
RR0510P-2101-D
Susumu
RR0510P-2102-D
Susumu
RR0510P-2150-D
Susumu
RR0510P-2151-D
Susumu
RR0510P-2152-D
Susumu
RR0510P-2210-D
Susumu
RR0510P-2211-D
Susumu
RR0510P-2212-D
Susumu
RR0510P-222-D
Susumu
XCV300E-7FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30-3BG256C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7
Intel
EP3CLS100F780I7N
Intel