casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR02J6K2TB
codice articolo del costruttore | RR02J6K2TB |
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Numero di parte futuro | FT-RR02J6K2TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR02J6K2TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 6.2 kOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.138" Dia x 0.354" L (3.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR02J6K2TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR02J6K2TB-FT |
RR02J750KTB
TE Connectivity Passive Product
RR02J750RTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J750RTB
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ROX1SJ75R
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RR03J75RTB
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RR01J75RTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J7K5TB
TE Connectivity Passive Product
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A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel