casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR02J1R5TB
codice articolo del costruttore | RR02J1R5TB |
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Numero di parte futuro | FT-RR02J1R5TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR02J1R5TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1.5 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.138" Dia x 0.354" L (3.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR02J1R5TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR02J1R5TB-FT |
CBT25J10K
TE Connectivity Passive Product
CBT50J10K
TE Connectivity Passive Product
ROX3SJ10K
TE Connectivity Passive Product
ROX2SJ10K
TE Connectivity Passive Product
ROX1SJ10K
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RR02J10KTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J10KTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J10KTB
TE Connectivity Passive Product
CCR110KKB
TE Connectivity Passive Product
CCR10KKT
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-256HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600E-7FG900I
Xilinx Inc.
10AX022C3U19I2LG
Intel
5SGXEA3K3F35C2LN
Intel
AGL125V5-CSG196
Microsemi Corporation
EP3CLS150F780I7
Intel
EPF10K100ABC356-3N
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel