casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR02J1R1TB
codice articolo del costruttore | RR02J1R1TB |
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Numero di parte futuro | FT-RR02J1R1TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR02J1R1TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1.1 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.138" Dia x 0.354" L (3.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR02J1R1TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR02J1R1TB-FT |
EP1W100RJ
TE Connectivity Passive Product
RR03J100RTB
TE Connectivity Passive Product
RR02J100RTB
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RR01J100RTB
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ROX1G100R
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CCR2100RKB
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CCR1100RKTB
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ROX1SF100R
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LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-CSG81I
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A54SX32A-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152I
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EP4CE10F17C9L
Intel
5SGSMD5H1F35C2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
LFE2M50E-5F672C
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LCMXO256E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation