casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR02J1K8TB
codice articolo del costruttore | RR02J1K8TB |
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Numero di parte futuro | FT-RR02J1K8TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR02J1K8TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1.8 kOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.138" Dia x 0.354" L (3.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR02J1K8TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR02J1K8TB-FT |
ROX2SJ120R
TE Connectivity Passive Product
ROX3SJ120R
TE Connectivity Passive Product
ROX5SJ120R
TE Connectivity Passive Product
RR02J120RTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J120RTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J120RTB
TE Connectivity Passive Product
ROX1SF120R
TE Connectivity Passive Product
ROX2SJ12R
TE Connectivity Passive Product
ROX1SJ12R
TE Connectivity Passive Product
ROX3SJ12R
TE Connectivity Passive Product
M2GL010T-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K1F40C1N
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-1FG676I
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C6N
Intel
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EPF10K50SQC208-2
Intel