casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR01J3R0TB
codice articolo del costruttore | RR01J3R0TB |
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Numero di parte futuro | FT-RR01J3R0TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR01J3R0TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 3 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.102" Dia x 0.268" L (2.60mm x 6.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR01J3R0TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR01J3R0TB-FT |
RR02J33KTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J33KTB
TE Connectivity Passive Product
ROX1SF33K
TE Connectivity Passive Product
ROX1SJR33
TE Connectivity Passive Product
ROX3SJR33
TE Connectivity Passive Product
CBT25J330K
TE Connectivity Passive Product
CBT50J330K
TE Connectivity Passive Product
ROX1SJ330K
TE Connectivity Passive Product
ROX2SJ330K
TE Connectivity Passive Product
ROX3SJ330K
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel