casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RR01J1R3TB
codice articolo del costruttore | RR01J1R3TB |
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Numero di parte futuro | FT-RR01J1R3TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RR, Neohm |
RR01J1R3TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1.3 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±300ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 235°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.102" Dia x 0.268" L (2.60mm x 6.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RR01J1R3TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RR01J1R3TB-FT |
RGP0207CHJ100M
TE Connectivity Passive Product
CBT25J100K
TE Connectivity Passive Product
CBT50J100K
TE Connectivity Passive Product
ROX3SJ100K
TE Connectivity Passive Product
ROX1SJ100K
TE Connectivity Passive Product
ROX2SJ100K
TE Connectivity Passive Product
ROX5SJ100K
TE Connectivity Passive Product
RR03J100KTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J100KTB
TE Connectivity Passive Product
RR02J100KTB
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel