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Rohm Semiconductor RQ6E085BNTCR

Numero parte MFG
RQ6E085BNTCR
quantità disponibile
56240 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.2668
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Data di spedizione
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RQ6E085BNTCR specificazioni

codice articolo del costruttore RQ6E085BNTCR
Numero di parte futuro FT-RQ6E085BNTCR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RQ6E085BNTCR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.7nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.25W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-457
Pacchetto / caso SC-74, SOT-457
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ6E085BNTCR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RQ6E085BNTCR-FT

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