casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RNV14JTL10M0
codice articolo del costruttore | RNV14JTL10M0 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RNV14JTL10M0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RNV |
RNV14JTL10M0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 MOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, High Voltage, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.094" Dia x 0.236" L (2.40mm x 6.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RNV14JTL10M0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RNV14JTL10M0-FT |
RSMF12JT120R
Stackpole Electronics Inc
RSMF1JB120R
Stackpole Electronics Inc
RSMF2JB120R
Stackpole Electronics Inc
RSMF3JB120R
Stackpole Electronics Inc
RSMF3JT120R
Stackpole Electronics Inc
PCF14JT120R
Stackpole Electronics Inc
RSF12JT12R0
Stackpole Electronics Inc
RSF1JT12R0
Stackpole Electronics Inc
RSF2JA12R0-C3
Stackpole Electronics Inc
RSF2JB12R0
Stackpole Electronics Inc
APA600-FG256I
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256
Microsemi Corporation
EP1M120F484C6N
Intel
5SGSMD4K1F40C2N
Intel
5SGTMC7K2F40I2N
Intel
5SGXMA5N1F45I2N
Intel
5SGXMB6R1F43C2N
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBC652-2
Intel