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codice articolo del costruttore | RNU1D681MDN1 |
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Numero di parte futuro | FT-RNU1D681MDN1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FPCAP, RNU |
RNU1D681MDN1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Polymer |
Capacità | 680µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 20V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 12 mOhm |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 540mA @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 5.4A @ 100kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 0.197" (5.00mm) |
Dimensione / Dimensione | 0.394" Dia (10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.551" (14.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RNU1D681MDN1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RNU1D681MDN1-FT |
GYA1E331MCQ1GS
Nichicon
RF80J331MDN1JT
Nichicon
MAL218297802E3
Vishay BC Components
875015019004
Wurth Electronics Inc.
875015019005
Wurth Electronics Inc.
875015119004
Wurth Electronics Inc.
875015119005
Wurth Electronics Inc.
875015319004
Wurth Electronics Inc.
875016219006
Wurth Electronics Inc.
875016219007
Wurth Electronics Inc.
XC3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A14V15A-VQ100C
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF25C6N
Intel
XC2VP2-6FFG672I
Xilinx Inc.
XC2V2000-5FFG896I
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation