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codice articolo del costruttore | RNS0J470MDS1JT |
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Numero di parte futuro | FT-RNS0J470MDS1JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FPCAP, RNS |
RNS0J470MDS1JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Polymer |
Capacità | 47µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 6.3V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 42 mOhm |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 205mA @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 2.05A @ 100kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 0.098" (2.50mm) |
Dimensione / Dimensione | 0.248" Dia (6.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RNS0J470MDS1JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RNS0J470MDS1JT-FT |
RNU1J560MDN1PH
Nichicon
RNS1A221MDN1PH
Nichicon
RNS1D101MDN1
Nichicon
RNS1E101MDN1PH
Nichicon
RNS0J331MDN1PH
Nichicon
RNS0J821MDN1PH
Nichicon
RNS1E330MDN1PH
Nichicon
RNS0G821MDN1
Nichicon
RNS0G122MDN1PH
Nichicon
RNS0G821MDN1PH
Nichicon
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN030V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16U484C6
Intel
EP20K200CF484I8
Intel
5SGXEA7N3F45I3L
Intel
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
5SGXEA7H3F35I3N
Intel
AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFXP15C-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel