casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RNF14BAE835R
codice articolo del costruttore | RNF14BAE835R |
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Numero di parte futuro | FT-RNF14BAE835R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RNF |
RNF14BAE835R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 835 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.093" Dia x 0.250" L (2.35mm x 6.35mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RNF14BAE835R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RNF14BAE835R-FT |
RNF12GTD100R
Stackpole Electronics Inc
RNF14GTD100R
Stackpole Electronics Inc
RNF14FTD100R
Stackpole Electronics Inc
RNF12FTD100R
Stackpole Electronics Inc
RNF18FTD100R
Stackpole Electronics Inc
RNF12DTC100R
Stackpole Electronics Inc
RNF14DTC100R
Stackpole Electronics Inc
RNF14DTD100R
Stackpole Electronics Inc
RNF12CTC100R
Stackpole Electronics Inc
RNF12CTD100R
Stackpole Electronics Inc
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel