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codice articolo del costruttore | RNE1A221MDS1JX |
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Numero di parte futuro | FT-RNE1A221MDS1JX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FPCAP, RNE |
RNE1A221MDS1JX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Polymer |
Capacità | 220µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 10V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | 30 mOhm |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 250mA @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 2.5A @ 100kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 0.098" (2.50mm) |
Dimensione / Dimensione | 0.248" Dia (6.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.433" (11.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RNE1A221MDS1JX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RNE1A221MDS1JX-FT |
RS80J561MDN1JT
Nichicon
RS80E471MDN1JT
Nichicon
RS80G561MDNASQJT
Nichicon
RS80J331MDNASQJT
Nichicon
RS80E471MDNASQJT
Nichicon
RS80J331MDN1JT
Nichicon
RS80E561MDN1JT
Nichicon
RS80E821MDN1JT
Nichicon
RS80E821MDNASQJT
Nichicon
RS80G561MDN1JT
Nichicon
A3PN125-2VQG100
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8N
Intel
EP3SL200H780C2N
Intel
5CEFA7M15C8N
Intel
XC5VLX110-2FF1760I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQG100A
Microsemi Corporation
LFXP3C-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation