casa / prodotti / resistenze / Reti di resistori, matrici / RNA4A8E822JT
codice articolo del costruttore | RNA4A8E822JT |
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Numero di parte futuro | FT-RNA4A8E822JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RNA4A, Kyocera |
RNA4A8E822JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di circuito | Bussed |
Resistenza (ohm) | 8.2k |
Tolleranza | ±5% |
Numero di resistori | 8 |
Rapporto di resistenza del resistore | - |
Resistore-Ratio-Drift | - |
Numero di pin | 10 |
Potenza per elemento | 62.5mW |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
applicazioni | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1608, Concave, Long Side Terminals |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1608 |
Dimensione / Dimensione | 0.157" L x 0.083" W (4.00mm x 2.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.028" (0.70mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RNA4A8E822JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RNA4A8E822JT-FT |
752181103G
CTS Resistor Products
752181103GTR7
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752181104GTR7
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AT40K20-2BQI
Microchip Technology
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A75T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
AGL600V2-FGG256I
Microsemi Corporation
AFS090-1FG256I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43I4N
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EP20K100FC324-1V
Intel