casa / prodotti / resistenze / Reti di resistori, matrici / RNA4A8E513JT
codice articolo del costruttore | RNA4A8E513JT |
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Numero di parte futuro | FT-RNA4A8E513JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RNA4A, Kyocera |
RNA4A8E513JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di circuito | Bussed |
Resistenza (ohm) | 51k |
Tolleranza | ±5% |
Numero di resistori | 8 |
Rapporto di resistenza del resistore | - |
Resistore-Ratio-Drift | - |
Numero di pin | 10 |
Potenza per elemento | 62.5mW |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
applicazioni | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1608, Concave, Long Side Terminals |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1608 |
Dimensione / Dimensione | 0.157" L x 0.083" W (4.00mm x 2.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.028" (0.70mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RNA4A8E513JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RNA4A8E513JT-FT |
752123332GTR7
CTS Resistor Products
752123470GTR7
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LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456I
Microsemi Corporation
EP4CGX110DF27C7
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
XCKU3P-2SFVB784E
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160I
Microsemi Corporation
10AX057N1F40I1SG
Intel
EP4SGX70DF29C3
Intel
EPF10K50VBI356-4N
Intel