casa / prodotti / resistenze / Reti di resistori, matrici / RNA4A8E181JT
codice articolo del costruttore | RNA4A8E181JT |
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Numero di parte futuro | FT-RNA4A8E181JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RNA4A, Kyocera |
RNA4A8E181JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di circuito | Bussed |
Resistenza (ohm) | 180 |
Tolleranza | ±5% |
Numero di resistori | 8 |
Rapporto di resistenza del resistore | - |
Resistore-Ratio-Drift | - |
Numero di pin | 10 |
Potenza per elemento | 62.5mW |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
applicazioni | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1608, Concave, Long Side Terminals |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1608 |
Dimensione / Dimensione | 0.157" L x 0.083" W (4.00mm x 2.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.028" (0.70mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RNA4A8E181JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RNA4A8E181JT-FT |
752083470GTR7
CTS Resistor Products
752083472G
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XC6SLX150-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A1425A-1VQ100C
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100
Microsemi Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
5SEEBH40I4N
Intel
M1AGL1000V5-CS281
Microsemi Corporation
AT6002LV-4JC
Microchip Technology
10AX115U4F45I4SGES
Intel
EP2AGX65CU17I5
Intel