casa / prodotti / resistenze / Resistore a chip - Montaggio superficiale / RN73C1E53R6BTDF
codice articolo del costruttore | RN73C1E53R6BTDF |
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Numero di parte futuro | FT-RN73C1E53R6BTDF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | RN73, Holsworthy |
RN73C1E53R6BTDF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 53.6 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.063W, 1/16W |
Composizione | Thin Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±10ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0402 |
Dimensione / Dimensione | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.014" (0.35mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN73C1E53R6BTDF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN73C1E53R6BTDF-FT |
RN73C1E332RBTDF
TE Connectivity Passive Product
RN73C1E332RBTG
TE Connectivity Passive Product
RN73C1E340RBTDF
TE Connectivity Passive Product
RN73C1E340RBTG
TE Connectivity Passive Product
RN73C1E348RBTDF
TE Connectivity Passive Product
RN73C1E348RBTG
TE Connectivity Passive Product
RN73C1E357RBTDF
TE Connectivity Passive Product
RN73C1E357RBTG
TE Connectivity Passive Product
RN73C1E365RBTDF
TE Connectivity Passive Product
RN73C1E365RBTG
TE Connectivity Passive Product
A3P125-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
5SGXEB6R2F43I2L
Intel
XC5VLX220-1FFG1760C
Xilinx Inc.
AGL250V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF35C5
Intel