casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RN55E6493DR36
codice articolo del costruttore | RN55E6493DR36 |
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Numero di parte futuro | FT-RN55E6493DR36 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-R-10509/7, RN55 |
RN55E6493DR36 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 649 kOhms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.125W, 1/8W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.090" Dia x 0.240" L (2.29mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN55E6493DR36 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN55E6493DR36-FT |
RN55E6041FRE6
Vishay Dale
RN55E6041FRSL
Vishay Dale
RN55E6042FB14
Vishay Dale
RN55E6042FBSL
Vishay Dale
RN55E6042FRE6
Vishay Dale
RN55E6042FRSL
Vishay Dale
RN55E6043DB14
Vishay Dale
RN55E6043DBSL
Vishay Dale
RN55E6043DRSL
Vishay Dale
RN55E6043FB14
Vishay Dale
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100
Microsemi Corporation
A1440A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXMA4K2F35C2N
Intel
XC5VFX70T-1FF665CES
Xilinx Inc.
LFXP20E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1020I6N
Intel