casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RN55E5231DR36
codice articolo del costruttore | RN55E5231DR36 |
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Numero di parte futuro | FT-RN55E5231DR36 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-R-10509/7, RN55 |
RN55E5231DR36 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 5.23 kOhms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.125W, 1/8W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.090" Dia x 0.240" L (2.29mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN55E5231DR36 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN55E5231DR36-FT |
RN55E4872FR36
Vishay Dale
RN55E4872FRE6
Vishay Dale
RN55E4872FRSL
Vishay Dale
RN55E4873DB14
Vishay Dale
RN55E4873DBSL
Vishay Dale
RN55E4873DRE6
Vishay Dale
RN55E4873DRSL
Vishay Dale
RN55E4873FB14
Vishay Dale
RN55E4873FBSL
Vishay Dale
RN55E4873FRE6
Vishay Dale
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel