casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RN55E5113DR36
codice articolo del costruttore | RN55E5113DR36 |
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Numero di parte futuro | FT-RN55E5113DR36 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-R-10509/7, RN55 |
RN55E5113DR36 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 511 kOhms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.125W, 1/8W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.090" Dia x 0.240" L (2.29mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN55E5113DR36 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN55E5113DR36-FT |
RN55E47R5FB14
Vishay Dale
RN55E47R5FRE6
Vishay Dale
RN55E4870DB14
Vishay Dale
RN55E4870DBSL
Vishay Dale
RN55E4870DR36
Vishay Dale
RN55E4870DRE6
Vishay Dale
RN55E4870DRSL
Vishay Dale
RN55E4870FB14
Vishay Dale
RN55E4870FBSL
Vishay Dale
RN55E4870FRE6
Vishay Dale
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA7N3F40C3N
Intel
EP3SL340F1760C4L
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FFG896C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP4SGX180DF29I4N
Intel