casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RN55E3012DRSL
codice articolo del costruttore | RN55E3012DRSL |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN55E3012DRSL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-R-10509/7, RN55 |
RN55E3012DRSL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 30.1 kOhms |
Tolleranza | ±0.5% |
Potenza (Watt) | 0.125W, 1/8W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.090" Dia x 0.240" L (2.29mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN55E3012DRSL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN55E3012DRSL-FT |
RN55E2800FB14
Vishay Dale
RN55E2800FBSL
Vishay Dale
RN55E2800FRSL
Vishay Dale
RN55E2801DBSL
Vishay Dale
RN55E2801DR36
Vishay Dale
RN55E2801DRE6
Vishay Dale
RN55E2801DRSL
Vishay Dale
RN55E2801FB14
Vishay Dale
RN55E2801FBSL
Vishay Dale
RN55E2801FR36
Vishay Dale
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel