casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / RN55E2610BRE6
codice articolo del costruttore | RN55E2610BRE6 |
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Numero di parte futuro | FT-RN55E2610BRE6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-R-10509/7, RN55 |
RN55E2610BRE6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 261 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.125W, 1/8W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.090" Dia x 0.240" L (2.29mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN55E2610BRE6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN55E2610BRE6-FT |
RN55E2341BB14
Vishay Dale
RN55E2341BRE6
Vishay Dale
RN55E2342BB14
Vishay Dale
RN55E2342BR36
Vishay Dale
RN55E2342BRE6
Vishay Dale
RN55E2343BB14
Vishay Dale
RN55E2343BR36
Vishay Dale
RN55E2343BRE6
Vishay Dale
RN55E2370BB14
Vishay Dale
RN55E2370BR36
Vishay Dale
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel