casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN4984FE,LF(CT
codice articolo del costruttore | RN4984FE,LF(CT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN4984FE,LF(CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN4984FE,LF(CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN4984FE,LF(CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN4984FE,LF(CT-FT |
PBLS6021D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6022D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6023D,115
Nexperia USA Inc.
PBLS6024D,115
Nexperia USA Inc.
PIMD2,115
Nexperia USA Inc.
PIMD2,125
Nexperia USA Inc.
RN1601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1604(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1609(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
EP20K300EFC672-1N
Intel
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
10AX022E3F27E2LG
Intel
10AX032H3F35I2LG
Intel
5SGXEB5R2F43C3N
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30B956C6
Intel
EP20K600CB652C9
Intel